KND2906A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極...KND2906A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 5.5mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有...
逆變電路：逆變器的核心部分，由半導(dǎo)體開關(guān)元件（如MOSFET、IGBT等）組成的全橋...逆變電路：逆變器的核心部分，由半導(dǎo)體開關(guān)元件（如MOSFET、IGBT等）組成的全橋或半橋電路構(gòu)成。通過高頻開關(guān)控制（PWM脈寬調(diào)制），將升壓后的直流電轉(zhuǎn)換為交流脈...
DC-DC有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如BUCK（降壓）、BOOST（升壓）、BUCK-BOOST（升降壓）三...DC-DC有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如BUCK（降壓）、BOOST（升壓）、BUCK-BOOST（升降壓）三大基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。升壓降壓電路（Boost和Buck電路）通過電感的儲(chǔ)能與釋放、開關(guān)元件...
KNB2908B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，高密度...KNB2908B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，高密度電池設(shè)計(jì)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高...
N溝道增強(qiáng)型MOSFET：當(dāng)VGS超過閾值電壓（VTH）時(shí)，ID開始增加，曲線呈上升趨勢...N溝道增強(qiáng)型MOSFET：當(dāng)VGS超過閾值電壓（VTH）時(shí)，ID開始增加，曲線呈上升趨勢。 P溝道增強(qiáng)型MOSFET：當(dāng)VGS低于負(fù)閾值電壓（-VTH）時(shí)，ID開始增加，曲線呈下降趨...
輸出特性曲線：N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性曲線如圖1a所示。與結(jié)型場效應(yīng)管一樣...輸出特性曲線：N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性曲線如圖1a所示。與結(jié)型場效應(yīng)管一樣，其輸出特性曲線也可分為可變電阻區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)幾部分。 轉(zhuǎn)移特性曲...
